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SJ MOS SGTMOS IGBT SiC devices Hybrid FET

SGT LV /MV MOS系列

SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构，兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点，并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。SFGMOS系列MOSFET产品涵盖20V~200V全系列，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。

Products

Package	P/N	V_GE (V)	BV (V)	I_C (A)	V_{th_typ}(V)	R_ds(on)mR
Package	P/N	V_GE (V)	BV (V)	T_c=25℃	V_{th_typ}(V)	M_ax	T_yp
All		All	All

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