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SiC Devices

第三代半导体材料功率器件是未来高性能功率器件的重要组成部分, 我们研发团队在宽禁带半导体研究上有丰富的经验。

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Package	P/N	V_GE (V)	BV (V)	T_c=25℃	V_{th_typ}(V)	M_ax	T_yp
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