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SiC Devices


第三代半导体材料功率器件是未来高性能功率器件的重要组成部分, 我们研发团队在宽禁带半导体研究上有丰富的经验。


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Package   P/N   BV(V)
TJ,Max		 BV (V) IC (A) Vth_typ(V) Rds(on)mR
Tc=25℃ Max Typ



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